| 发明名称 | 一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体存储器的制造技术领域，具体为一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法。本发明以酞菁铜聚合物薄膜中嵌入锑纳米晶作为非挥发存储器中的电荷存储部分，具体包括半导体硅衬底、硅衬底上的无机介质层、第一层酞菁铜聚合物薄膜、锑纳米晶、第二层酞菁铜聚合物薄膜、金属电极。其中，无机介质层和第一层酞菁铜聚合物薄膜作为电荷隧穿层，锑纳米晶作为电荷电荷存储中心，第二层聚合物薄膜为电荷阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN101916825A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN201010242586.4 | 申请日期 | 2010.08.02 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 黄玥;丁士进 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种聚合物基的纳米晶存储器电容，其特征在于依次为：半导体硅衬底、硅衬底上的无机介质层、第一层酞菁铜聚合物薄膜、锑纳米晶、第二层酞菁铜聚合物薄膜、金属电极；其中，无机介质层和第一层酞菁铜聚合物薄膜作为电荷隧穿层，锑纳米晶作为电荷存储中心，第二层聚合物薄膜作为电荷阻挡层。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||