| 摘要 |
1. Способ обработки подложек, включающий в себя: распределение частиц на поверхности подложки; и формирование вогнуто-выпуклой структуры на поверхности подложки путем травления поверхности подложки с частицами как маской и одновременного удаления маски травлением. ! 2. Способ обработки подложек по п.1, причем частицы образованы из органических материалов. ! 3. Способ обработки подложек по п.2, причем диаметр частиц составляет 0,01 мкм или более и до 10 мкм или менее. ! 4. Способ обработки подложек по п.1, причем подложка является сапфировой подложкой для светодиода, который формируется со светоизлучающим слоем на поверхности. ! 5. Способ обработки подложек по п.1, причем подложка является кремниевой подложкой для солнечного элемента, которая образована со слоем фотоэлектрического преобразователя на поверхности. ! 6. Подложка, содержащая поверхность, на которой распределены частицы; и вогнуто-выпуклую структуру, которая сформирована на поверхности путем проведения обработки травлением с частицами как маской и удаления частиц. |
