| 摘要 |
<p>본 발명은 동일 비트라인에 연결된 셀의 수를 감소시켜 선택셀의 프로그램 동작시 비트라인을 통해 금지셀에 가해지는 바이어스(Vpp-4V)에 의한 스트레스를 감소시켜 셀이 열화되는 것을 방지할 수 있는 비휘발성 메모리 소자를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명에서는 더미 워드라인과, 상기 더미 워드라인을 경계로 이분할된 제1 및 제2 그룹 내에 각각 일방향으로 신장된 복수의 워드라인과, 상기 제1 및 제2 그룹 내에 각각 형성된 복수의 상기 워드라인과 수직으로 교차되도록 형성된 복수의 비트라인과, 상기 제1 및 제2 그룹 내에 각각 형성된 상기 비트라인과 교번적으로 나란하게 형성되되, 상기 제1 그룹에서 상기 제2 그룹까지 분리되지 않고 신장된 복수의 소오스 라인과, 상기 워드라인과 상기 비트라인이 수직으로 교차하는 지점에 형성된 복수의 셀을 포함하는 비휘발성 메모리 소자를 제공한다.</p> |
