| 摘要 |
<p>본 발명은 엠아이엠 캐패시터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비아콘택플러그를 형성한 텅스텐층 일부를 남겨 하부전극으로 사용하고 상부 금속배선 공정의 장벽막을 상부전극으로 사용하는 엠아이엠 캐패시터를 제조함으로써 상하부전극의 표면을 고르게 하여 소자의 특성을 개선하고 공정을 단순화하여 경제적 이익을 증가시키는 기술을 개시한다. 이를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 엠아이엠 캐패시터는, 금속물질로 형성된 제 1 금속배선과, 제 1 금속배선과 접속되는 비아콘택플러그와, 비아콘택플러그와 접속되어 상기 비아콘택플러그와 동일물질로 소정 두께 형성된 하부전극과, 하부전극의 상부에 유전물질로 소정 두께 형성된 유전체막과, 유전체막의 상부에 상기 금속물질로 형성된 제 2 금속배선을 포함하여 구성함을 특징으로 한다.</p> |
