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<p>표면에 금속 박막이 형성된 기판 상에, 하프늄, 이트륨, 란탄, 알루미늄, 지르코늄, 스트론튬, 티타늄, 바륨, 탄탈, 니오브로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류 이상의 원소를 포함하는 금속 산화막을, 금속 박막의 산화가 일어나지 않는 온도로서, 또한, 금속 산화막이 어모퍼스 상태가 되는 제1 온도에서 형성하는 제1 스텝과, 제1 스텝에서 형성한 어모퍼스 상태의 금속 산화막 상에, 하프늄, 이트륨, 란탄, 알루미늄, 지르코늄, 스트론튬, 티타늄, 바륨, 탄탈, 니오브로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류 이상의 원소를 포함하는 금속 산화막을, 제1 온도를 초과하는 제2 온도에서, 목표 막두께까지 형성하는 제2 스텝을 포함한다.</p> |
