发明名称 发光二极体结构与其制造方法
摘要
申请公布号 TWI355096 申请公布日期 2011.12.21
申请号 TW095150037 申请日期 2006.12.29
申请人 晶元光電股份有限公司 新竹市科學工業園區力行五路5號 发明人 郭政达;余国辉;陈昭兴;柯淙凯;黄祈铭;叶世伟;锺健凯
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体结构,至少包括:一基板;一第一电性局限层,位于该基板上;一发光磊晶结构,位于该第一电性局限层之一第一部分上,其中该发光磊晶结构至少包括:一主动层,位于该第一部分上;以及一第二电性局限层,位于该主动层上,其中该第一电性局限层与该第二电性局限层具有相反之电性;一突起结构,位于该第一电性局限层之一第二部分上,其中该突起结构与该发光磊晶结构间相距有一预设间隙,该预设间隙并暴露出该第一电性局限层,该突起结构之组成材料层的种类与次序系等同于该发光磊晶结构之组成材料层的种类与次序,且该突起结构之组成材料层的厚度系等于或小于该发光磊晶结构之组成材料层的厚度;一第一电极垫,完全包覆住该突起结构;以及一第二电极垫,位于该第二电性局限层上,且与第一电极垫至少以该预设间隙隔开。
地址 新竹市科学工业园区力行五路5号