制造半导体装置的方法

主权项

一种用于制造一半导体装置之方法，其包含以下步骤：在一生长于一半导体基板上之装置层中形成一预定装置，其中在该装置层与该半导体基板之间提供一牺牲层；及在将一支撑基板黏结至该装置层之侧上时，藉由蚀刻来移除该牺牲层，从而将该半导体基板与该装置层分离，其中在该移除该牺牲层之步骤中，在移除该牺牲层之前形成一自该装置层延伸至该牺牲层之沟槽，及使蚀刻溶液穿过该沟槽渗透至该牺牲层中，及进一步其中一薄膜系形成于该沟槽之侧墙以保护该装置层不受该蚀刻溶液的损害。