| 主权项 |
一种记忆体元件的制作方法，包含有：提供一基底，其上包含一垫层；于该垫层中形成一开口；于该开口的侧壁上形成一第一侧壁子；于该开口内填满一牺牲层；移除部分该犠牲层，使得剩余的该犠牲层之表面低于该第一侧壁子表面；去除该第一侧壁子，暴露出部分的该基底；利用该牺牲层以及该垫层为遮罩，蚀刻该基底，形成一第一沟渠与一第二沟渠；去除该犠牲层，暴露出一通道区域；于该第一沟渠、该第二沟渠与该通道区域之表面形成一第一介电层；形成一第一导电层，并使其填满该开口、该第一沟渠与该第二沟渠；移除该第一导电层，以部分暴露出该通道区域之表面；于该第一导电层之表面与该通道区域之表面上形成一第二介电层；于该开口内沉积一第二导电层，并使其填满该开口；以及去除该垫层。 |
