| 发明名称 |
半导体元件及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI355081 |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
| 申请号 |
TW096105242 |
申请日期 |
2007.02.13 |
| 申请人 |
高知縣產業振興中心 日本;樫尾計算機股份有限公司 日本 |
发明人 |
古田守;平尾孝;古田宽;松田时宜;平松孝浩 |
| 分类号 |
H01L29/786;H01L21/336;H01L21/203 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 |
| 主权项 |
一种半导体元件之制造方法，包含：以使用以氧化锌为主成分之氧化物靶材的溅镀法，于基板上使以氧化锌为主成分之氧化物半导体薄膜成膜之制程；其特征在于：该制程系一面对该氧化物靶材施加第1高频率电力，并对该基板施加与该第1高频率电力不同电力值的第2高频率电力，以使该氧化物半导体薄膜之氧化锌的定向成为(002)定向以外之定向，一面于该基板上使该氧化物半导体薄膜成膜。 |
| 地址 |
日本 |
