发明名称 控制对包括多级单元的闪存器件的回拷贝操作的方法
摘要 一种控制对包括多级单元的闪存器件的回拷贝操作的方法。在该方法中,即使没有附加的存储空间仍然可以执行回拷贝操作。因此,可以缩短编程时间并且可以改善闪存器件的操作性能。
申请公布号 CN101373638B 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN200810212011.0 申请日期 2006.05.29
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 成镇溶;元参规
分类号 G11C16/34(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I 主分类号 G11C16/34(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 杨林森;康建峰
主权项 一种控制对包括连接到位线和字线的多个多级单元的闪存器件的回拷贝操作的方法,该方法包括如下步骤:响应于复位控制信号初始化高位寄存器,并响应于第一低读控制信号初始化低位寄存器;通过将第一读电压施加给所述多个多级单元中的源多级单元所连接到的字线,从所述源多级单元读高位数据,并基于所读的高位数据将第一高感测数据存储在所述高位寄存器中;通过将第二读电压施加给所述多个多级单元中的目标多级单元所连接到的字线,从所述目标多级单元读低位数据,并基于所读的低位数据和所述第一高感测数据将第一低编程禁止数据存储在所述低位寄存器中;基于所述第一高感测数据和所述第一低编程禁止数据来产生程序数据,并将所述程序数据存储在所述高位寄存器中;确定是否将修改所述程序数据;如果确定将不修改所述程序数据,则基于所述程序数据和所述第一低编程禁止数据产生第一最后程序数据,并第一将所述第一最后程序数据编程到所述目标多级单元中;如果确定将修改所述程序数据,则将第二低编程禁止数据存储在所述低位寄存器中,并将经修改的程序数据存储在所述高位寄存器中;以及基于所述经修改的程序数据和所述第二低编程禁止数据来产生第二最后程序数据,并第二将所述第二最后程序数据编程于所述目标多级单元中。
地址 韩国京畿道利川市
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