发明名称 | 一种非金属真空腔室结构 | ||
摘要 | 本发明公开了一种非金属真空腔室结构,属于等离子体技术领域。所述非金属真空腔室结构包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口;进气口设置于上盖板的中心处,排气口设置于下盖板的中心处,上盖板、下盖板与腔室筒体密封连接,射频线圈设置于腔室筒体的两侧。本发明的非金属真空腔室由非金属材料制成,结构简单,密封性好,易于安装,维护方便,提高了真空腔室的真空抽速和工艺条件的可靠性。 | ||
申请公布号 | CN102290313A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
申请号 | CN201110287953.7 | 申请日期 | 2011.09.26 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 |
分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
主权项 | 一种非金属真空腔室结构,其特征在于,包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口;所述进气口设置于所述上盖板的中心处,所述排气口设置于所述下盖板的中心处,所述上盖板、下盖板与腔室筒体密封连接,所述射频线圈设置于所述腔室筒体的两侧。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |