用以保护一内部集成电路的半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，用以保护一内部集成电路，其半导体结构包括：一基板；多个第一掺杂区形成在基板中且位于一N型阱之内；多个第二掺杂区形成在基板中且位于一P型阱之内；一N型区形成在基板中且包围住N型阱与P型阱；一焊垫形成在基板之上且电性连接于至少一第一掺杂区；以及一第一接地端和一第二接地端分别位于与N型区的外侧和内侧相对应处。并且第二掺杂区与第一掺杂区分隔，而在N型区内的第一和第二掺杂区与基板藉由N型区分隔。此外第二接地端电性连接于至少一第二掺杂区。

主权项

一种半导体结构，用以保护一内部集成电路，其特征在于，包括：一基板；多个第一掺杂区，形成在该基板中且位于一N型阱之内；多个第二掺杂区，形成在该基板中且位于一P型阱之内，该些第二掺杂区与该些第一掺杂区分隔；一N型区，形成在基板中且包围住该N型阱及该P型阱，其中在该N型区内的该些第一及该些第二掺杂区与该基板藉由该N型区分隔；一焊垫，形成在该基板之上且电性连接于至少一该些第一掺杂区；以及一第一接地端及一第二接地端，分别位于与该N型区的外侧及内侧相对应处且被该N型区分隔，且该第二接地端电性连接于至少一该些第二掺杂区，该第一接地端及该第二接地端相互独立的连接于不同电路；其中，所述内部集成电路电性连接于所述第一接地端。