| 发明名称 | 垂直半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种垂直半导体器件及其制造方法，包括在衬底上形成的第一半导体图案以及在第一半导体图案的侧壁上形成的第一栅结构。在第一半导体图案上形成第二半导体图案。在第二半导体图案的侧壁上形成多个层间绝缘层图案。层间绝缘层图案被彼此间隔开以在层间绝缘层图案之间限定沟槽。多个第二栅结构被分别设置在沟槽中。 | ||
| 申请公布号 | CN102290420A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201110164554.1 | 申请日期 | 2011.06.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金振均;李明范 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 刘光明;穆德骏 |
| 主权项 | 一种垂直半导体器件，包括：衬底；第一半导体图案，所述第一半导体图案在所述衬底上；第一栅结构，所述第一栅结构在所述第一半导体图案的侧壁上；第二半导体图案，所述第二半导体图案在所述第一半导体图案上；多个层间绝缘层图案，所述多个层间绝缘层图案在所述第二半导体图案的侧壁上，所述层间绝缘层图案被间隔开以在所述层间绝缘层图案之间限定沟槽；以及多个第二栅结构，所述多个第二栅结构被分别设置在所述沟槽中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||