发明名称 |
阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
摘要 |
本发明提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器,其中,阵列基板包括衬底基板,以及形成在衬底基板上的栅线、数据线和遮光层,栅线和数据线围设成像素区域,像素区域内形成有透明像素电极和薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极,源电极连接数据线,漏电极连接透明像素电极;栅电极形成在所述遮光层的上方,并通过过孔与栅线连接;栅电极与透明像素电极同层且为同材料。本发明可以大幅度地减弱因曝光工艺引起的栅漏寄生电容的变化,从而降低由栅漏寄生电容引起的ΔVp变化,也改善了同一玻璃基板上的不同位置处ΔVp的差异,方便驱动电路对ΔVp的调节,减弱了显示画面产生闪烁,提高了产品性能。 |
申请公布号 |
CN102290413A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201010208740.6 |
申请日期 |
2010.06.17 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
刘翔;刘圣烈;薛建设 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种阵列基板,包括衬底基板,以及形成在所述衬底基板上的栅线、数据线和遮光层,所述遮光层与所述栅线分开设置,所述栅线和数据线围设成像素区域,所述像素区域内形成有透明像素电极和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极,所述源电极连接数据线,所述漏电极连接透明像素电极;其特征在于,所述栅电极形成在所述遮光层的上方,并通过过孔与所述栅线连接;所述栅电极与所述透明像素电极同层且为同材料。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |