半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，在由采用低容量保护二极管的防静电破坏保护二极管构成的半导体装置中，在半导体基板的表面上不需要为形成作为电压限制元件的齐纳二极管而占用面积。在P+型半导体基板(1)上形成P+型掩埋扩散层(1b)，接着使非掺杂的第一外延层(4a)覆盖在其上，然后在该第一外延层上形成N型高电阻率的第二外延层(4b)，利用P+型分离层(6)将该第二外延层分离为第一保护二极管形成区域(50)和第二保护二极管形成区域(51)，并形成从第一保护二极管形成区域的第一外延层表面延伸至第一外延层及第二外延层的N+型掩埋层(2)等，由从P+型掩埋扩散层(1b)延伸的P+型向上扩散层(1c)和N+型掩埋层形成齐纳二极管(TD)等。

主权项

一种由防静电破坏保护二极管构成的半导体装置，其特征在于，具有：非掺杂的第一外延层，在低电阻率的第一导电型的半导体层上形成；高电阻率的第二导电型的第二外延层，在所述第一外延层上形成；第一导电型的分离层，将所述第二外延层分离为第一保护二极管形成区域和第二保护二极管形成区域；第二导电型的第二掩埋层及第二掩埋层内的第一掩埋层，该第二掩埋层从所述第一保护二极管形成区域的所述第一外延层表面延伸至该第一外延层内及所述第二外延层内；以及齐纳二极管，具有从所述半导体层通过热扩散延伸至所述第一外延层内及除所述第二掩埋层的上层部以外的所述第二外延层内而形成的第一导电型的向上扩散层，该齐纳二极管将延伸至所述第一外延层内的所述第一掩埋层作为负极层，将从所述半导体层延伸至所述第一外延层并与所述第一掩埋层形成PN结的所述向上扩散层作为正极层。