| 摘要 |
Устройство для формирования упорядоченных микроструктур дислокаций в приповерхностном слое полупроводников, состоящее из импульсного YAG:Nd3+ лазера, светоделительной пластины, поворотных зеркал и фокусирующей линзы, отличающееся тем, что данное устройство позволяет проводить микроструктурирование интенсивности лазерного излучения путем интерференции двух лазерных лучей, полученных при расщеплении исходного лазерного луча, между которыми вносится определенная разность хода, и затем оба луча фокусируются на поверхность полупроводниковой пластины, на которой они интерферируют, приводя к нагреву поверхности с распределением температуры, повторяющем форму интерференционной картины, и к генерации упорядоченных микроструктур дислокаций. |
