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Um bei reflektiven optischen Elementen (2) für die EUV-Lithographie zu verhindern, dass sie sich bei Bestrahlung mit EUV-Strahlung (4) elektrisch aufladen, wird ein optisches System (1) für die EUV-Lithographie vorgeschlagen mit einem reflektiven optischen Element (2), das ein Substrat (21) mit einer hochreflektiven Beschichtung (22) aufweist, und mit einer Quelle (3) für geladene Teilchen, die derart angeordnet ist, dass das reflektive optische Element (2) mit geladenen Teilchen beaufschlagbar ist, um ein Aufladen des reflektiven optischen Elements (2) durch die Bestrahlung mit EUV-Strahlung (4) mit den geladenen Teilchen zu kompensieren.
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