| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens mit den Verfahrensschritten: Bereitstellen eines Kontaktiermittels in einem niedrigviskosen Ausgangszustand, Hindurchtreiben des niedrigviskosen Kontaktiermittels durch eine Tintenstrahl-Düsenanordnung, Beaufschlagen des Kontaktiermittels mit einem Energieeintrag und/oder einem chemischen Reaktionsmittel zum Überführen des Kontaktiermittels in einen höherviskosen Endzustand unmittelbar nach dem Düsendurchtritt und/oder beim Auftreffen des Kontaktiermittels auf dem Halbleitersubstrat. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Vorrichtung zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens, enthaltend ein Vorratsbehältnis mit einem niedrigviskosen Kontaktiermittel, eine Tintenstrahl-Düsenanordnung und eine auf einen Strahlbereich der Tintenstrahl-Düsenanordnung und/oder auf einen Auftreffpunkt des Kontaktiermittels gerichtete Energiebeaufschlagungseinheit.</p> |
