被破坏低k介电膜层去除的方法

摘要

一种用于从低k介电膜层去除被破坏材料的装置、系统和方法，包括识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；建立多个处理参数，以表征将被去除的该被破坏材料的方面，以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于所建立的该被破坏材料的处理参数限定该控制化学制剂的应用，从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料，并且围绕该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定。

主权项

一种从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的方法，包括：识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；使用临近端头将该控制化学制剂作为流体弯液面应用到该低k介电膜层，以及在该基片上方移动该流体弯液面以接触该低k介电膜层的该被破坏材料的该区域，该流体弯液面覆盖的面积小于该基片的整个面积从而该被破坏材料被从暴露于该流体弯液面的该区域中除去以限定与该低k介电膜层相同的低k特性。