发明名称 |
一种调控柔性电子器件介电层厚度的方法 |
摘要 |
本发明涉及柔性电子器件制作领域,尤其是一种调控介电层或绝缘层厚度的方法。这种调控柔性电子器件介电层厚度的方法步骤是利用柔性衬底层同时作为介电层或绝缘层;通过对其表面直接或涂覆压印材料后通过压印或刻蚀的方法制作几何图形,形成凹槽,从而减少或增加介电层或绝缘层厚度;然后在几何图形的凹槽内填入具有导电特性的材料,并经过固化等后续工艺过程,获得高质量的柔性电子器件。这种柔性电子器件介电层或绝缘层的厚度和膜层平坦度都可以获得精确控制,可以方便实现大面积、性能均一稳定的柔性电子器件制作,完全避免了大面积介电层或绝缘层成膜质量对所制器件均一性的影响。 |
申请公布号 |
CN102280583A |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN201110198259.8 |
申请日期 |
2011.07.15 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
张东煜;高育龙;苏文明;崔铮 |
分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种调控柔性电子器件介电层厚度的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)、选取柔性衬底层;(2)、在柔性衬底层上制作出几何图形凹槽;(3)、在几何图形凹槽内填充导电材料;(4)、通过固化技术将导电材料固定在柔性衬底层上,获得目标器件。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |