低电压带隙基准源的安全启动电路

摘要

本发明公开了一种低电压带隙基准源的安全启动电路，包括电流源产生电路，带隙基准源的启动电路，带隙基准源主体电路，带隙基准源的启动电路包括M42，其栅极与电流源产生电路的输出相连接，源极接电源电压Vdd，漏极与M30的漏极以及M35的栅极相连接，M30的源极与Q3的发射极相连接，M30的栅极与M35的源极相连接，M30的衬底和源极短接并接入Q3的发射极，其基极和集电极短接并与地相连，M35的漏极接Vdd，且衬底接地，M32的衬底接地，漏极接M35的源极，并与M30的栅极相连接，M32的源极与INN相连接。本发明能在极低的电压下保证带隙基准源的安全启动。

主权项

一种低电压带隙基准源的安全启动电路，包括依次连接的电流源产生电路，带隙基准源的启动电路，带隙基准源主体电路，该电流源产生电路产生带隙基准源启动电路中运放工作的偏置电流，其特征在于，所述的带隙基准源的启动电路包括第一P型晶体管，其栅极与电流源产生电路的输出相连接，源极接电源电压Vdd，漏极与第一N型本征晶体管的漏极以及第二N型晶体管的栅极相连接，第一N型本征晶体管的源极与第一PNP三极管的发射极相连接，第一N型本征晶体管的栅极与第二N型晶体管的源极相连接，并且，第一N型本征晶体管的衬底和源极短接并接入第一PNP三极管的发射极，第一PNP三极管的基极和集电极短接并与地相连，第二N型晶体管的漏极接电源电压Vdd，且衬底接地，第三N型本征晶体管的衬底接地，漏极与栅极短接后接第二N型晶体管的源极，并与第一N型本征晶体管的栅极相连接，第三N型本征晶体管的源极与带隙基准源主体电路中的运放的负输入端INN相连接，带隙基准源主体电路中包含第二P型晶体管，其源极与第三N型本征晶体管的源极以及运放的负输入端INN相连接，第一电阻一端与运放的负输入端INN相连接，另一端接地，第二PNP三极管的发射极与运放负输入端INN相连接，基极与集电极短接并且接地，第一P型晶体管上的电流用Ibias表征，而第二P型晶体管上的电流用Ibgr来表征，运放负输入端的电位以VINN表征，运放负输入端的电位VINN为第一电阻上的电压或第二PNP三极管上的电压，第一P型晶体管上的电流Ibias送入第一PNP三极管和第一N型本征晶体管产生了启动电位Vstart，即第三N型本征晶体管的栅电位，当Vstart‑VINN＞第三N型本征晶体管的阈值电压Vth，则第三N型本征晶体管会导通，则VINN将会被拉高，最终达到Vstart‑Vth。