半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一半导体基板；于上述半导体基板上方形成至少一个栅极结构，其包括一虚设栅极；于上述半导体基板上方形成至少一个电阻结构，其包括一栅极；暴露至少一个上述电阻结构的上述栅极的一部分；于上述半导体基板上方及包括上述栅极的暴露部分的上方形成一蚀刻停止层；从至少一个上述栅极结构移除上述虚设栅极，以形成一开口；于至少一个上述栅极结构的上述开口中形成一金属栅极。本发明于取代栅极工艺中提供一电阻结构的保护方式，以防止上述电阻结构的电阻率受到不良的影响。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板上方形成至少一个栅极结构，其包括一虚设栅极；于该半导体基板上方形成至少一个电阻结构，其包括一栅极；暴露至少一个该电阻结构的该栅极的一部分；于该半导体基板上方及包括该栅极的暴露部分的上方形成一蚀刻停止层；从至少一个该栅极结构移除该虚设栅极，以形成一开口；以及于至少一个该栅极结构的该开口中形成一金属栅极。