具有不同掺杂的有应变的电流电极区域的晶体管

摘要

通过提供半导体层(103)并且在该半导体层上形成控制电极(105)来形成晶体管。去除控制电极侧面的半导体层的一部分以在控制电极的相对两侧上形成第一凹口(201)和第二凹口(203)。第一应力源(301)形成在第一凹口内并且具有第一掺杂分布。第二应力源(303)形成在第二凹口内并且具有第一掺杂分布。第三应力源(401)形成在第一应力源上。第三应力源具有第二掺杂分布，该第二掺杂分布具有比第一分布更高的电极电流掺杂浓度。第四应力源(403)在第二应力源上形成并且具有第二掺杂分布。晶体管的第一电流电极和第二电流电极分别至少包括第三应力源和第四应力源的一部分。

主权项

一种形成具有不同掺杂分布的结构的晶体管的方法，包括如下步骤：提供半导体层；在该半导体层上形成晶体管的控制电极；去除该控制电极侧面的该半导体层的一部分而在该控制电极的相对两侧上形成第一凹口和第二凹口；在第一凹口内形成第一应力源，该第一应力源具有第一原位电流电极掺杂分布；在第二凹口内形成第二应力源，该第二应力源具有第一原位电流电极掺杂分布；在第一应力源上形成第三应力源，该第三应力源具有第二原位电流电极掺杂分布，该第二原位电流电极掺杂分布具有比第一原位电流电极掺杂分布更高的第一导电类型电流电极掺杂浓度；以及在第二应力源上形成第四应力源，该第四应力源具有第二原位电流电极掺杂分布；其中该晶体管的第一电流电极和第二电流电极分别至少包括第三应力源和第四应力源的一部分，邻近控制电极形成侧壁隔离物，其中所述侧壁隔离物位于第一应力源的一部分、第二应力源的一部分、第三应力源的一部分和第四应力源的一部分之上；其中，第一电流电极包括延伸区；第二电流电极包括延伸区；第一电流电极的延伸区包括第三应力源的一部分；第二电流电极的延伸区包括第四应力源的一部分。