| 发明名称 | 掩模修整 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于蚀刻介电层的方法。在介电层上形成具有掩模特征的图案化的掩模。该掩模具有该掩模特征的隔离区和致密区。通过多个循环修整该掩模，其中每个循环包含沉积沉积层并选择性蚀刻该沉积层和该图案化的掩模。该选择性蚀刻相对于该掩模的该致密区选择性地修整该掩模的该隔离区。使用修整过的掩模蚀刻该介电层。除去该掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN101779276B | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN200880103492.X | 申请日期 | 2008.08.19 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 苏普利亚·戈亚尔;许东浩;金智洙;S·M·列扎·萨贾迪 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 一种用于蚀刻介电层的方法，该方法包含：在介电层上形成具有掩模特征的图案化的掩模，该掩模具有该掩模特征的隔离区和致密区；修整该掩模包含多个循环，每个循环包含：沉积沉积层；以及选择性蚀刻该沉积层和该图案化的掩模，其中该选择性蚀刻相对于该掩模的该致密区选择性地修整该掩模的该隔离区；以及使用修整过的掩模蚀刻该介电层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||