发明名称 | 超级电容器三维多孔复合薄膜及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了超级电容器三维多孔复合薄膜及其制备方法,通过阴极电沉积法,反应60~180s生成三维多孔纳米镍薄膜;以三维多孔纳米镍薄膜为载体,通过阴极电沉积法,反应100~400s沉积,在三维多孔纳米镍层上复合氢氧化钴纳米片层,制备三维多孔纳米镍/氢氧化钴纳米片超级电容器复合薄膜,其中三维多孔纳米镍层的孔径为5~10μm,氢氧化钴纳米片层的片间距为10~300nm,复合薄膜厚度30~200μm,氢氧化钴纳米片与三维多孔纳米镍薄膜的重量比为5∶100~20∶100。本发明复合薄膜具有高比电容,高功率和高能量密度及高循环寿命,在电动汽车、通讯和信号控制等领域具有广阔的应用前景。 | ||
申请公布号 | CN102280260A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
申请号 | CN201110129508.8 | 申请日期 | 2011.05.18 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 夏新辉;涂江平;麦永津;王秀丽;谷长栋 |
分类号 | H01G9/04(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/04(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
主权项 | 一种三维多孔纳米镍/氢氧化钴纳米片超级电容器复合薄膜,其特征在于,所述的三维多孔纳米镍层上复合有所述的氢氧化钴纳米片层,所述的三维多孔纳米镍层的孔径为5~10μm,所述的氢氧化钴纳米片层的片间距为10~300nm;所述的复合薄膜的厚度30~200μm,所述的氢氧化钴纳米片层与所述的三维多孔纳米镍层的重量比为5∶100~20∶100。 | ||
地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |