| 发明名称 | 一种半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括提供一基板；形成一栅极于基板上；形成一栅极绝缘层覆盖于栅极上；形成源/漏极于栅极绝缘层上；形成透明非结晶氧化物半导体通道层于源/漏极间的栅极绝缘层之上，并覆盖部分源/漏极；利用N2O等离子处理透明非结晶氧化物半导体通道层表面；以及形成一有机保护层覆盖于透明非结晶氧化物半导体通道层上。采用本发明，能够大幅降低栅极正偏压引致元件起始电压偏移的状况，并可以保持标准的电晶体特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102280385A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201110215410.4 | 申请日期 | 2011.07.25 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 林威廷;林亮宇;洪铭钦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 曾红 |
| 主权项 | 一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一栅极于所述基板上；形成一栅极绝缘层覆盖于所述栅极上；形成源/漏极于所述栅极绝缘层上；形成透明非结晶氧化物半导体通道层于所述源/漏极间的所述栅极绝缘层之上，并覆盖部分所述源/漏极；利用N2O等离子处理所述透明非结晶氧化物半导体通道层表面；以及形成一有机保护层覆盖于所述透明非结晶氧化物半导体通道层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 | ||