发明名称 一种带有氮气保护的三氯氢硅或四氯化硅工艺系统的控制管路
摘要 一种带有氮气保护的三氯氢硅或四氯化硅供应系统的控制管路,它包括:系统设计了两个输出端口,五个输入端口。其中一个输出端口和外延炉的工艺气体模块连接,向外延炉提供工艺气体,另外一个为输出端口和尾气处理系统连接。系统的五个输入端口中由两个分别连接氯氢硅或四氯化硅液罐上的气相输入接口和液相输出接口,另外三个和鼓泡器连接。本发明优点是:可以满足将TCS液罐内的TCS送入鼓泡器、以TCS液灌作为TCS鼓泡器检验TCS质量、管路吹扫、管路抽真空,液罐接口被断开后有氮气保护等功能。系统安全可靠,不仅可以用来为外延工艺供气,也可用于其它的薄膜工艺中H2携带TCS或SiCl4的供应。
申请公布号 CN101723373B 申请公布日期 2011.12.14
申请号 CN200810225009.7 申请日期 2008.10.23
申请人 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 发明人 何自强;冯泉林;闫志瑞;张果虎
分类号 C01B33/03(2006.01)I 主分类号 C01B33/03(2006.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人 郭佩兰
主权项 一种带有氮气保护的三氯氢硅或四氯化硅供应系统的控制管路,它包括:一条进入鼓泡器液相内的氢气输入管路——第二管路(②);一条气态三氯氢硅或四氯化硅输出管路——第三管路(③),该管路的第一端与外延炉的工艺气体管路相接;一条一端插入三氯氢硅或四氯化硅液罐底部将三氯氢硅或四氯化硅液体送入鼓泡器的第七管路(⑦);一条将氢气送入三氯氢硅或四氯化硅液罐的第十管路(⑩),其进入液罐设有的第十一阀门(V11),其特征在于:控制管路还包括:(1)一条氢气输入管路——第八管路(⑧),该第八管路(⑧)与第一管路(①)串接,第一管路(①)是第二管路(②)的旁路;该第八管路(⑧)的一端接氢气进口,其另一端通过第一三通接第六管路(⑥),该第六管路(⑥)的一端和鼓泡器的第八阀门(V8)连接,该第六管路(⑥)的另一端连接第九管路(⑨),第六管路(⑥)通过第二三通接插入三氯氢硅或四氯化硅液罐底部的第七管路(⑦),该第六管路(⑥)在第一三通与第二三通之间的管线上串接第九阀门(V9),第二三通的另一端通过阀门(AV1)接至鼓泡器的第八阀门(V8);所述第七管路(⑦)的一端连接液灌的第十阀门(V10),另一端在阀门(AV1)和第九阀门(V9)之间和管路(⑥)通过第二三通连接;(2)第三管路(③)的第二端上先通过第三三通连接第五管路(⑤)和鼓泡器的第四阀门(V4),再通过第四三通连接和鼓泡器的第三阀门(V3)连接的第二管路(②),第三管路(③)与第二管路(②)之间通过第五阀门(V5)导通,第五管路(⑤)以第五三通与第十九阀门(V19)的一端连接,第十九阀门(V19)的另一端与第四管路(④)的文氏管的抽气接口连接;第四管路(④)为连接氮气管路并利用文氏管产生负压的管路;(3)第五管路(⑤)通过第一四通连接第十管路(⑩)和第十二阀门(V12),第七管路(⑦)靠近第六管路(⑥)处串接有第十三阀门(V13),第十二阀门(V12)的另一端连接在第七管路(⑦)的第十三阀门(V13)和第十阀门(V10)之间,所述液灌的第十一阀门(V11)通过该四通接第五管路(⑤),该第五管路(⑤)的另一端与上述的第三管路(③)相接,将气态三氯氢硅或四氯化硅送至工艺使用;(4)第二管路(②)、第八管路(⑧)、第九管路(⑨)分别串有第二阀门(V2)、第十七阀门(V17)、第十八阀门(V18),第二阀门(V2)位于氢气出口处的管路上,第六管路(⑥)和第十管路(⑩)通过第二四通连接,第十管路(⑩)在靠近该四通下游的位置上还设有第十五阀门(V15),第十管路(⑩)在靠近该四通上游的位置上还设有第十六阀门(V16),该第十六阀门(V16)连接工艺气体;第三管路(③)在靠近第一端的位置上串接有第六阀门(V6);第五管路(⑤)中接有第七阀门(V7)、第十四阀门(V14),该第七阀门(V7)和第十四阀门(V14)分布在第五管路(⑤)连接第四管路(④)的三通的两侧。
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