晶片处理装置及在单一装置中处理半导体晶片的方法

摘要

一种从一半导体晶片表面上移除一金属或导电薄膜的方法和装置，其在一单一晶片装置内进行两步骤工艺。第一步骤为一湿式化学或机械移除工艺，以一高的移除速率来移除此薄膜的上层部分，接着第二步骤为较低的移除速率，其使用化学机械研磨。本发明提供一种装置与具有合理成本的工艺，以从半导体晶片表面上更快速地移除一基体金属或其他导电薄膜，且能得到如同化学机械研磨一般高品质的研磨表面。

主权项

一种晶片处理装置，包含：一第一处理室，包含下列至少其一：(a)一湿式化学蚀刻装置；及(b)一机械研磨装置，借由一半导体晶片和一切割构件之间的相对运动来移除该半导体晶片上的材料；一第二处理室，包含一化学机械研磨装置；及一晶片输送装置，用来输送该半导体晶片，从该第一处理室到该第二处理室，其中该第一处理室的移除速率高于该第二处理室的移除速率。