发明名称 Enhancement normally off nitride semiconductor device and manufacturing method thereof
摘要
申请公布号 KR101092467(B1) 申请公布日期 2011.12.13
申请号 KR20090123987 申请日期 2009.12.14
申请人 发明人
分类号 H01L29/778 主分类号 H01L29/778
代理机构 代理人
主权项
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