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发明名称 Method of fabricating a zinc oxide based nanowire using a buffer layer in a high temperature process and method of fabricating a electronic device using the same
摘要
申请公布号 KR101091598(B1) 申请公布日期 2011.12.13
申请号 KR20090048891 申请日期 2009.06.03
申请人 发明人
分类号 B82B3/00;G09F9/00;H01J1/30;H01L21/205 主分类号 B82B3/00
代理机构 代理人
主权项
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