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Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Halbleitersubstrat (1), einer ersten Isolierschicht (2), die auf dem Halbleitersubstrat (1) ausgebildet ist, und einem aktiven Halbleiterbereich (AA), der auf der ersten Isolierschicht (2) ausgebildet und durch eine zweite Isolierschicht (4) seitlich begrenzt und an allen Seiten umgeben ist, wobei der aktive Halbleiterbereich (AA) aus einem ersten und einem zweiten Dotiergebiet (S, D) von einem ersten Leitungstyp (n+), die bis zur Oberfläche der ersten Isolierschicht (2) reichen, und aus zumindest einem Kanalgebiet, das zwischen dem ersten und zweiten Dotiergebiet festgelegt ist, sowie aus einem ersten und/oder zweiten Diodengebiet (DD1, DD2) besteht, wobei an der Oberfläche des zumindest einen Kanalgebiets zumindest ein Gatedielektrikum (5) und darauf eine Steuerelektrode (6, G) zur Realisierung eines Feldeffekttransistors (FET) ausgebildet ist, und wobei in dem ersten und/oder zweiten Diodengebiet (DD1, DD2) ein drittes Dotiergebiet von einem zum ersten Leitungstyp entgegengesetzten zweiten Leitungstyp (p+) bis zur...
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