发明名称 |
Bottom-up gate-all-around device and method of manufacturing the same |
摘要 |
<p>본 발명에 따른 상향식 게이트 올 어라운드 소자는 동작전류와 꺼짐 전류 사이의 비를 크게 할 수 있으므로 작은 동작 전압으로 소자를 제어할 수 있고 소모 전력을 감소시킬 수 있다는 장점이 있다.</p> |
申请公布号 |
KR101090740(B1) |
申请公布日期 |
2011.12.08 |
申请号 |
KR20090060940 |
申请日期 |
2009.07.06 |
申请人 |
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发明人 |
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分类号 |
B82B3/00;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
B82B3/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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