发明名称 Bottom-up gate-all-around device and method of manufacturing the same
摘要 <p>본 발명에 따른 상향식 게이트 올 어라운드 소자는 동작전류와 꺼짐 전류 사이의 비를 크게 할 수 있으므로 작은 동작 전압으로 소자를 제어할 수 있고 소모 전력을 감소시킬 수 있다는 장점이 있다.</p>
申请公布号 KR101090740(B1) 申请公布日期 2011.12.08
申请号 KR20090060940 申请日期 2009.07.06
申请人 发明人
分类号 B82B3/00;H01L21/336;H01L29/78 主分类号 B82B3/00
代理机构 代理人
主权项
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