Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit dreidimensionalem Aufbau

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, mit den Schritten: Bereitstellen eines Siliziumsubstrats (1); Ausbilden eines planaren Siliziumoxidfilms (2) auf dem Siliziumsubstrat (1); und Hitzebehandeln des planaren Siliziumoxidfilms (2b) in einer Wasserstoffatmosphäre derart, dass sich ein Teil des planaren Siliziumoxidfilms (2b) von einer Oberfläche des Siliziumsubstrats (1) abtrennt und einen dreidimensionalen Aufbau bildet, wobei der Schritt des Hitzebehandelns des planaren Siliziumoxidfilms (2b) in einem Temperaturbereich zwischen 1100°C–1200°C während einer Prozeßzeit gleich oder kürzer als 200 Sekunden durchgeführt wird.