| 摘要 |
<p>Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100), umfassend: eine lichtemittierende Struktur (105), umfassend eine Halbleiterschicht (102) des ersten Leitungstyps, eine Halbleiterschicht (104) des zweiten Leitungstyps und eine aktive Schicht (103) zwischen der Halbleiterschicht (102) des ersten Leitungstyps und der Halbleiterschicht (104) des zweiten Leitungstyps, und eine erste Elektrode (112) auf der Halbleiterschicht (102) des ersten Leitungstyps, wobei die lichtemittierende Struktur (105) eine äußere Nut (106) umfasst, die auf einem äußeren Bereich der lichtemittierenden Struktur (105) derart ausgebildet ist, dass die Dicke des äußeren Bereichs der lichtemittierenden Struktur (105) kleiner als die Dicke eines inneren Bereichs der lichtemittierenden Struktur (105) ist.</p> |
