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Halbleitervorrichtung, die aufweist: ein Halbleitersubstrat (C3, 100); eine Mehrzahl von ersten Transistoren (30, 32, 32a, L31 bis L35) eines MOS-Typs, die auf dem Halbleitersubstrat (C3, 100) angeordnet sind; und einen nicht flüchtigen Speicher (31, M31–M35) zum Speichern von veränderlichen Betriebsinformationen von jedem ersten Transistor (30, 32, 32a, L31 bis L35), wobei die Mehrzahl von ersten Transistoren (30, 32, 32a, L31 bis L35) eine elektrische Parallelschaltung bildet, jeder erste Transistor (30, 32, 32a, L31 bis L35) eine erste Elektrode (D), eine zweite Elektrode (S) und eine Gateelektrode (G, 321) aufweist, wobei in Abhängigkeit einer an der Gateelektrode (G, 321) anliegenden Spannung zwischen der ersten (D) und zweiten Elektrode (S) ein Strompfad ausgebildet ist, jeder erste Transistor (30, 32, 32a, L31 bis L35) in Abhängigkeit der in dem nicht flüchtigen Speicher (31, M31–M35) gespeicherten veränderlichen Betriebsinformationen...
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