光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器

摘要

本发明提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器，在形成半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板即石墨基板，并在该石墨基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后，在所替换的石墨基板G上形成非初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。

主权项

一种光或放射线检测器的制造方法，其是制造光或放射线检测器的制造方法，该光或放射线检测器具备通过光或放射线的入射而生成电荷的多结晶的半导体膜和为了层叠形成该半导体膜而将其支承的支承基板，并且以沿其厚度方向连续地形成所述半导体膜的结晶粒，所述光或放射线检测器的制造方法的特征在于，在形成所述半导体膜时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体膜后，将该模仿基板替换成所述支承基板，并在该支承基板上通过蒸镀继续形成半导体膜，并且，通过使蒸镀源和所述支承基板或模仿基板接近而在该基板的表面堆积所述蒸镀源的升华物的接近升华法，而形成应形成于所述支承基板的所述半导体膜或应形成于所述模仿基板的所述半导体膜。