| 发明名称 | 对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物 | ||
| 摘要 | 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。 | ||
| 申请公布号 | CN101495672B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200780026664.3 | 申请日期 | 2007.03.12 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 威廉·杭克斯;陈天牛;许从应;杰弗里·F·罗德;托马斯·H·鲍姆;梅利莎·A·彼特鲁斯卡;马蒂亚斯·斯滕德;陈世辉;格雷戈里·T·施陶夫;布赖恩·C·亨德里克斯 |
| 分类号 | C23C16/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 章社杲;张英 |
| 主权项 | 1.一种锗前体组合物，包含下式的二(正丁基，N，N-二异丙基脒)锗，<img file="FSB00000561777900011.GIF" wi="765" he="608" />其中，<sup>i</sup>Pr＝异丙基，而<sup>n</sup>Bu＝正丁基。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||