发光装置的制造方法及发光装置

摘要

本发明的发光装置的制造方法，包括：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；将半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；形成与半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；用第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜的工序；以及从基板的与第一主面相反一侧的第二主面一侧，向半导体层照射激光，从而从半导体层剥离基板的工序。第二绝缘膜的带隙能量和半导体层的带隙能量比激光的能量小，在第一绝缘膜中的覆盖半导体层的侧面的部分，激光不到达发光层的深度。

主权项

一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；将上述半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；形成与上述半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；用第二绝缘膜覆盖上述第一绝缘膜的工序；以及从上述基板的与上述第一主面相反一侧的第二主面一侧，向上述半导体层照射激光，从而从上述半导体层剥离上述基板的工序，上述第二绝缘膜的带隙能量和上述半导体层的带隙能量比上述激光的能量小，在上述第一绝缘膜中的覆盖上述半导体层的上述侧面的部分，上述激光不到达上述发光层的深度。