| 发明名称 |
太阳能电池芯片及其制造方法 |
| 摘要 |
一种太阳能电池芯片，其包括基底及位于该基底上的第一接面及第二接面，该第一接面的能隙比该第二接面的能隙低，且该第一接面比该第二接面靠近该基底，其中，该太阳能电池芯片还包括连接该第一接面与该第二接面的第一透明电极层。上述太阳能电池芯片使用透明电极层代替穿隧二极管/接面，光线可较顺利地从两接面间传播，从而提高了光电转换效率。本发明还涉及一种上述太阳能电池芯片的制造方法。 |
| 申请公布号 |
CN102270674A |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
| 申请号 |
CN201010191998.X |
申请日期 |
2010.06.04 |
| 申请人 |
富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
发明人 |
赖志铭 |
| 分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种太阳能电池芯片，其包括基底及位于该基底上的第一接面及第二接面，该第一接面的能隙比该第二接面的能隙低，且该第一接面比该第二接面靠近该基底，其特征在于，该太阳能电池芯片还包括连接该第一接面与该第二接面的第一透明电极层。 |
| 地址 |
201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号 |
