| 发明名称 | 高抗静电能力的肖特基二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型是涉及一种高抗静电能力的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一表面，并形成一凹入表面的护环，护环内为一P型掺杂区；又N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层，该金属层与N-型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成肖特基接触；其中，P型掺杂区具有一低浓度下层及一高浓度上层，而使P型掺杂区的表面离子浓度高，以兼具降低正向导通压降及高抗静电能力等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN202067793U | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201120063042.1 | 申请日期 | 2011.03.11 |
| 申请人 | 璟茂科技股份有限公司 | 发明人 | 童钧彦;陈坤贤;王凯莹;蔡文立 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人 | 孙皓晨 |
| 主权项 | 一种高抗静电能力的肖特基二极管，其特征在于，包括：一N+型掺杂层；一N‑型掺杂漂移层，形成在所述N+型掺杂层上，该N‑型掺杂漂移层具有一表面，并形成一凹入表面的护环，护环内为一P型掺杂区，该P型掺杂区包括一低浓度下层及一高浓度上层；一氧化层，是形成在所述N‑型掺杂漂移层上；一金属层，是形成于所述氧化层及N‑型掺杂漂移层上，该金属层与N‑型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市 | ||