发明名称 |
一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法 |
摘要 |
一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法,采用在单晶硅上,外延生长V形铜硅化合物,然后通过湿法腐蚀去除外延生长的V形铜硅化合物,在单晶硅表面获得低反射率的V形槽绒面结构,步骤:一、在单晶硅Si上,依次沉积Cu-Zr和Cu膜,形成单晶硅Si复合膜基体系;二、对复合膜基体系退火,温度100-800℃,真空度优于1*10-3,时间5-10分钟;三、将退火后的复合膜放入混合液中,超声振荡>5分钟;四、振荡后用无水乙醇和去离子水清洗,吹干,制得产品。本发明的有益效果:获得的V形槽形态规则、制绒效率更高;表明结构可以有效的降低光的反射;制备成本降低10-15%,质量提高,产率提高30%。 |
申请公布号 |
CN102270695A |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN201010604958.3 |
申请日期 |
2010.12.25 |
申请人 |
河南科技大学 |
发明人 |
孙浩亮;魏明;宋忠孝;徐可为;刘玉亮 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 |
代理人 |
张彬 |
主权项 |
一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法,采用在单晶硅上,外延生长V形铜硅化合物,然后通过湿法腐蚀去除外延生长的V形铜硅化合物,在单晶硅表面获得低反射率的V形槽绒面结构,其特征在于步骤如下:步骤一、在单晶硅Si 上,依次沉积Cu‑Zr合金膜和纯Cu膜,获得由纯Cu膜和Cu‑Zr合金膜构成的复合膜,形成Cu/Cu‑Zr/单晶硅Si复合膜基体系;步骤二、对复合膜基体系进行退火处理,温度100-800℃,真空度优于1*10‑3,时间5-10分钟;步骤三、将退火后的复合膜/单晶硅Si体系,放入由丙酮、无水乙醇或稀盐酸 1‑25 vol%与氢氟酸1‑50 vol%组成的混合液中,进行超声振荡,振荡时间>5分钟;步骤四、振荡结束后,取出,用无水乙醇和去离子水清洗,去除生长在单晶硅Si表面的铜硅化合物,吹干,在单晶硅Si基体表面形成高密度和形状规则的V形槽绒面结构。 |
地址 |
471000 河南省洛阳市涧西区西苑路48号 |