| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。 | ||
| 申请公布号 | CN102272893A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201080003989.1 | 申请日期 | 2010.01.05 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 杨晶;王琦 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：电极法兰；腔室，具有内壁面；绝缘法兰，配置在所述电极法兰与所述腔室之间；基底部件，具有侧面，并配置在所述腔室内，且载置有基板；RF电源，与所述电极法兰连接，并施加高频电压；以及绝缘部件，配置在与所述内壁面对置的所述基底部件的所述侧面以及与所述基底部件的侧面对置的所述内壁面中的至少任意一方。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||