发明名称 |
一种具有室温铁磁性纳米ZnO材料的制备方法 |
摘要 |
一种具有室温铁磁性ZnO材料的制备方法。该方法的工艺步骤为:利用普通化学或者物理方法制备好纳米ZnO前驱体、ZnO薄膜样品或者直接制备得到ZnO纳米材料(包括纳米颗粒,纳米棒,纳米线,纳米管,量子点等),然后将样品置于具有空气或其他气体(如氧气)氛围的强磁场烧结炉中进行热处理,整个热处理过程施加磁场,自然冷却后即可得到具有室温铁磁性的纳米ZnO材料。经磁性能分析,证明本发明方法可以明显提高纳米ZnO材料的室温铁磁性能。 |
申请公布号 |
CN101645341B |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN200910090922.5 |
申请日期 |
2009.08.14 |
申请人 |
中国科学院电工研究所 |
发明人 |
王军红;王栋樑;马衍伟 |
分类号 |
H01F13/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C01G9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01F13/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 |
代理人 |
关玲;贾玉忠 |
主权项 |
一种具有室温铁磁性ZnO材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法的工艺步骤如下:(1)利用普通化学或者物理方法制备好纳米ZnO前驱体、ZnO薄膜样品或者直接制备得到ZnO纳米材料;(2)将所述步骤1制备的纳米ZnO前驱体、薄膜或者纳米ZnO材料放入装有超导磁体,并具有气体氛围的加热炉中处理;(3)热处理的温度为500~1000℃,保温0.2~10h,最后自然冷却到室温,在热处理过程中从开始到冷却至室温的整个过程施加0.2~35T的磁场。 |
地址 |
100080 北京市海淀区中关村北二条6号 |