发明名称 电子照相感光体以及备有此的图像形成装置
摘要 本发明公开一种电子照相感光体(2),其中具备:导电性基体(20);光导电层(22),其形成在所述导电性基体(20)上并包含非晶硅;表面层(23),其形成在所述光导电层上并包含非晶硅,关于所述光导电层(22),其表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。表面层(23)的例如非研磨时的表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。
申请公布号 CN101185036B 申请公布日期 2011.12.07
申请号 CN200680018642.8 申请日期 2006.05.26
申请人 京瓷株式会社 发明人 池田昭彦;大久保大五郎;川上哲哉;中村隆;笹原正光;长浜大辅;深谷知巳
分类号 G03G5/08(2006.01)I 主分类号 G03G5/08(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李香兰
主权项 一种电子照相感光体,其特征在于,具备:导电性基体;光导电层,其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅;表面层,其形成在所述光导电层上并包含非晶硅,所述表面层具备:第1层,其在将元素比率表示为组成式a‑Si1‑xCx:H时,x值是0.5以上、0.8以下;以及第2层,其形成于所述第1层上,并且x值是0.95以上、0.96以下,所述光导电层的基于原子力显微镜的表面粗糙度的测定值按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为5.35nm以上、8.92nm以下,所述表面层的动态按压硬度是320kgf/mm2以上、380kgf/mm2以下。
地址 日本京都府