发明名称 |
电子照相感光体以及备有此的图像形成装置 |
摘要 |
本发明公开一种电子照相感光体(2),其中具备:导电性基体(20);光导电层(22),其形成在所述导电性基体(20)上并包含非晶硅;表面层(23),其形成在所述光导电层上并包含非晶硅,关于所述光导电层(22),其表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。表面层(23)的例如非研磨时的表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。 |
申请公布号 |
CN101185036B |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN200680018642.8 |
申请日期 |
2006.05.26 |
申请人 |
京瓷株式会社 |
发明人 |
池田昭彦;大久保大五郎;川上哲哉;中村隆;笹原正光;长浜大辅;深谷知巳 |
分类号 |
G03G5/08(2006.01)I |
主分类号 |
G03G5/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
一种电子照相感光体,其特征在于,具备:导电性基体;光导电层,其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅;表面层,其形成在所述光导电层上并包含非晶硅,所述表面层具备:第1层,其在将元素比率表示为组成式a‑Si1‑xCx:H时,x值是0.5以上、0.8以下;以及第2层,其形成于所述第1层上,并且x值是0.95以上、0.96以下,所述光导电层的基于原子力显微镜的表面粗糙度的测定值按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为5.35nm以上、8.92nm以下,所述表面层的动态按压硬度是320kgf/mm2以上、380kgf/mm2以下。 |
地址 |
日本京都府 |