半导体工艺及应用此工艺所形成的硅基板及芯片封装结构

摘要

本发明提供一种半导体工艺及应用此工艺所形成的硅基板及芯片封装结构。首先，提供硅基材。接着，局部暴露硅基材的一表面，并蚀刻硅基材的此表面，以使硅基材形成有至少一具有第一深度的第一凹口及第二深度的第二凹口的阶梯状结构。第一深度小于第二深度，且第一凹口的孔径大于第二凹口的孔径。依序形成最终绝缘层、金属种子层于阶梯状结构。形成图案化光致抗蚀剂层于金属种子层上。形成线路层覆盖显露于第一凹口上方的部分金属种子层。之后，移除图案化光致抗蚀剂层及位于其底下的部分金属种子层。

主权项

一种半导体工艺，包括：提供硅基材；局部暴露该硅基材的一表面，并蚀刻该硅基材的该表面，以使该硅基材形成有至少一阶梯状结构，该阶梯状结构具有第一深度的第一凹口以及第二深度的第二凹口，该第一深度小于该第二深度，且该第一凹口的孔径大于该第二凹口的孔径；形成最终绝缘层于该阶梯状结构以及形成金属种子层于该最终绝缘层上；形成图案化光致抗蚀剂层于该金属种子层上，其中该图案化光致抗蚀剂层覆盖预定形成线路层之外的部分该金属种子层，并显露预定形成该线路层的部分该金属种子层；形成该线路层，覆盖显露的部分该金属种子层上；以及移除该图案化光致抗蚀剂层以及位于该图案化光致抗蚀剂层底下的部分该金属种子层，其中该线路层包括第一金属层与第二金属层，该第一金属层覆盖显露于该第一凹口上方的部分该金属种子层上，该第二金属层覆盖该第一金属层，其中移除该图案化光致抗蚀剂层以及位于该图案化光致抗蚀剂层底下的部分该金属种子层之后，还包括：放置至少一芯片于该第二凹口内，该芯片的上表面低于位于该第一凹口内的该线路层的该第二金属层；进行引线键合工艺，使该芯片透过多条导线连接至该线路层的该第二金属层上；填入封装胶体于该阶梯状结构，其中该封装胶体包覆该最终绝缘层、线路层、该金属种子层、该芯片及该些导线；薄化部分该封装胶体与部分该线路层，以使该封装胶体与该第一金属层实质上切齐；薄化该硅基材及芯片，以暴露出该芯片的下表面；以及形成至少一金属焊盘于该线路层的该第一金属层上。