| 发明名称 | 侧墙形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种侧墙形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅氧化层和多晶硅层；形成覆盖所述多晶硅层的保护层薄膜，并刻蚀所述保护层薄膜形成保护层；依次刻蚀所述多晶硅层以及栅氧化层形成栅极；形成覆盖所述半导体衬底和保护层以及栅极侧壁的第一介质层，并形成覆盖所述第一介质层的第二介质层；刻蚀所述半导体衬底上以及所述保护层顶部和侧壁的第二介质层，并刻蚀所述保护层顶部和侧壁的第一介质层；去除所述保护层和半导体衬底上的第一介质层，以在栅极侧壁形成侧墙。本发明有利于在所述栅极侧壁形成轮廓良好的侧墙，提高半导体器件的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102270574A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201010192495.4 | 申请日期 | 2010.06.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 韩秋华;张世谋 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种侧墙形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅氧化层和多晶硅层；形成覆盖所述多晶硅层的保护层薄膜，并刻蚀所述保护层薄膜形成保护层；依次刻蚀所述多晶硅层以及栅氧化层形成栅极；形成覆盖所述半导体衬底和保护层以及栅极侧壁的第一介质层，并形成覆盖所述第一介质层的第二介质层；刻蚀所述半导体衬底上以及所述保护层顶部和侧壁的第二介质层，并刻蚀所述保护层顶部和侧壁的第一介质层；去除所述保护层和半导体衬底上的第一介质层，以在栅极侧壁形成侧墙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||