发明名称 Hochspannungsgeneratorschaltung für einen Halbleiterspeicher
摘要 Es wird eine Hochspannungsgeneratorschaltung offenbart, die eine konstant hohe Spannung erzeugt, die relativ höher als eine externe Versorgungsspannung VDD ist. Sie ist mit Folgendem versehen: einem Speicherzellenarray (31), einem Zeilendecodierer (32), einem Spaltendecodierer (33); einem Y-Zugriffsabschnitt (34) zum Betreiben des Speicherzellenarrays; einem ersten Taktsignalgenerator (35) zum Erzeugen eines ersten und eines zweiten Taktsignals während eines Lese- und Bereitschaftsmodus sowie während eines Programmier-und Löschmodus; einer ersten Ladungspumpe (38) zum Ausgeben einer konstanten hohen Spannung während des Lese- und Bereitschaftsmodus oder zum Erzeugen einer ersten und einer zweiten Pumpspannung während des Programmier- und Löschmodus; einem ersten Spannungseinstellabschnitt (41) zum Ausgeben eines Zeilendecodierer-Betriebssignals während des Lese- und Bereitschaftsmodus und zum Beibehalten einer hohen Spannung während des Programmier- und Löschmodus; einem zweiten und einem dritten Taktsignalgenerator (36, 37) zum Erzeugen eines dritten bzw. eines vierten Taktsignals während des Programmier- und Löschmodus; einer zweiten Ladungspumpe (39) zum Ausgeben einer dritten Pumpspannung; einer dritten Ladungspumpe (40) zum Ausgeben einer vierten Pumpspannung; einem zweiten triebs des ersten, zweiten und dritten Taktsignalgenerators durch Eingeben der dritten und vierten Pumpspannung während des Programmier- und Löschmodus, und zum Ausgeben der Betriebsspannungen für den Zeilendecodierer, den Spaltendecodierer und den Y-Zugriffsabschnitt; und einem Spannungsgenerator (42) zum Ausgeben einer konstanten hohen Spannung an den ersten Spannungseinstellabschnitt während des Programmier- und Löschmodus.
申请公布号 DE19936853(B4) 申请公布日期 2011.12.01
申请号 DE19991036853 申请日期 1999.08.05
申请人 LG SEMICON CO., LTD. 发明人 JEONG, WEON HWA
分类号 G11C5/14;G11C16/06;G11C16/12;G11C16/16;H02M3/07 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人
主权项
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