发明名称 一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法,其包括:a)将SiC粉体、烧结助剂和分散剂加入到水中,制备固含量为10~60wt%的陶瓷水基浆料;b)将浆料浇注到模具中,在-200~0℃冷冻成素坯;c)将冷冻的素坯于-60~80℃及5~600Pa的环境下干燥4~48小时,得到多孔素坯;d)将得到的多孔素坯进行高温固相烧结。本发明利用冷冻干燥和高温固相烧结技术的结合,制备出了一种能够使用于高于1500℃的高温环境中的多孔碳化硅陶瓷材料,并且,通过调节浆料的固含量、浆料中添加的有机聚合物的含量及固相烧结温度,可得到不同气孔率和强度的多孔SiC陶瓷材料,可满足SiC陶瓷在不同领域的应用要求。
申请公布号 CN102260092A 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN201110159345.8 申请日期 2011.06.14
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 左开慧;曾宇平
分类号 C04B38/00(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B38/00(2006.01)I
代理机构 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人 何葆芳
主权项 一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:a)将SiC粉体、烧结助剂和分散剂加入到水中,以SiC为球磨介质进行球磨使分散均匀,得到固含量为10~60wt%的陶瓷水基浆料;b)将步骤a)得到的浆料浇注到模具中,在‑200~0℃冷冻成素坯;c)将冷冻的素坯于‑60~80℃及5~600Pa的环境下干燥4~48小时,得到多孔素坯;d)将步骤c)得到的多孔素坯进行高温固相烧结,即得多孔碳化硅陶瓷材料。
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