发明名称 |
一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法,其包括:a)将SiC粉体、烧结助剂和分散剂加入到水中,制备固含量为10~60wt%的陶瓷水基浆料;b)将浆料浇注到模具中,在-200~0℃冷冻成素坯;c)将冷冻的素坯于-60~80℃及5~600Pa的环境下干燥4~48小时,得到多孔素坯;d)将得到的多孔素坯进行高温固相烧结。本发明利用冷冻干燥和高温固相烧结技术的结合,制备出了一种能够使用于高于1500℃的高温环境中的多孔碳化硅陶瓷材料,并且,通过调节浆料的固含量、浆料中添加的有机聚合物的含量及固相烧结温度,可得到不同气孔率和强度的多孔SiC陶瓷材料,可满足SiC陶瓷在不同领域的应用要求。 |
申请公布号 |
CN102260092A |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201110159345.8 |
申请日期 |
2011.06.14 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
左开慧;曾宇平 |
分类号 |
C04B38/00(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B38/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 |
代理人 |
何葆芳 |
主权项 |
一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:a)将SiC粉体、烧结助剂和分散剂加入到水中,以SiC为球磨介质进行球磨使分散均匀,得到固含量为10~60wt%的陶瓷水基浆料;b)将步骤a)得到的浆料浇注到模具中,在‑200~0℃冷冻成素坯;c)将冷冻的素坯于‑60~80℃及5~600Pa的环境下干燥4~48小时,得到多孔素坯;d)将步骤c)得到的多孔素坯进行高温固相烧结,即得多孔碳化硅陶瓷材料。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |