具有嵌埋应变诱发材料的晶体管

摘要

本发明提出一种具有嵌埋应变诱发材料的晶体管，当在半导体装置的主动区域中形成开口、以并入应力诱发半导体材料时，通过使用布植制程，可达成较好的均匀性，以选择性地修改该主动区域的曝露部分的蚀刻行为。在此方法中，该开口的基本组构可调整成具有高度弹性，而同时又可减少对于图案负载效应的相依性。因此，晶体管特性的变化性可显著地降低。

主权项

一种方法，包括：在晶体管的一开始是结晶的主动区域中形成非结晶部分，该非结晶部分是侧向相邻于该晶体管的栅极电极结构；实施第一蚀刻制程，以将该非结晶部分的材料以实质上与方向无关的方式移除，并提供开口；实施第二蚀刻制程，以调整该开口的尺寸及形状，该第二蚀刻制程具有结晶异向性移除率；以及通过选择性外延成长制程，以至少在该开口中形成应变诱发半导体。