发明名称 单P-N结串联光伏器件
摘要 提供一种单P-N结太阳能电池,其具有用于电荷分离的两个耗尽区同时允许电子和空穴复合,从而与太阳能电池的两个耗尽区相关的电压将叠加起来。该单p-n结太阳能电池包括在P-N结的一侧上形成的InGaN或InAlN合金,以及在P-N结的另一侧上形成的Si,以仅通过单P-N结产生双结(2J)串联太阳能电池的特征。具有串联太阳能电池特征的单P-N结太阳能电池将获得超过30%的能量转化效率。
申请公布号 CN101720511B 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN200880020929.3 申请日期 2008.06.18
申请人 罗斯特雷特能源实验室公司 发明人 W·瓦鲁奇威兹;J·W·艾格尔三世;K·M·于
分类号 H01L31/00(2006.01)I 主分类号 H01L31/00(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种太阳能电池,其包括:p型层;n型层;单p‑n结,所述单p‑n结位于所述p型层和所述n型层之间;和多个耗尽区,所述多个耗尽区用于与所述单p‑n结相关的电荷分离,其中所述p型层和所述n型层之一的导带与所述p型层和所述n型层中的另一个的价带对齐,以将所述单p‑n结形成为在所述p型层和所述n型层之间的低阻抗隧道结。
地址 美国亚利桑那州